磁気抵抗電流センサー
磁気抵抗技術の発展により、電流センサー検出素子のさらなる拡大がもたらされ、異方性磁気抵抗効果 (AMR)、巨大磁気抵抗効果 (GMR)、およびトンネル磁気抵抗効果 (TMR) 技術の開発が進んでいます。電流センサーの高精度、優れた温度安定性、高帯域幅の実現につながり、現在の完成品は主にSMD電流検出製品です。
特定の磁場中での物質の抵抗は「磁気抵抗効果」として知られる現象を変化させます。磁性金属および合金材料は一般にこの磁気抵抗現象を持ちます。通常、磁場中での材料の抵抗率はわずかに減少するだけです。 特定の条件下では、抵抗率の減少の大きさは非常に大きく、通常の磁性金属や合金の磁気抵抗値よりも約 10 倍以上大きくなります。 特定の条件下では、抵抗率の低下が非常に大きく、磁性金属や合金の通常の磁気抵抗の10倍以上に達します。これは「巨大磁気抵抗効果」(GMR)と呼ばれます。
GMR効果の詳細な研究により、TMR効果が人々の注目を集め始めています。 金属多層膜は高い GMR 値を生成できますが、強い反強磁性結合効果により飽和磁場が高くなり、磁場感度が低下するため、GMR 効果の実用化は制限されます。 磁気トンネル接合 (MTJ) では、2 つの強磁性層間に層間結合がまったくないか、基本的に存在しません。また、強磁性層の 1 つの磁化方向を反転してトンネル抵抗の大きな変化を達成するには、非常に小さな外部磁場だけが必要です。そのため、MTJ は金属多層膜よりもはるかに高い磁界感度を持っています。 同時に、MTJ 自体の構造は抵抗率が高く、エネルギー消費が低く、安定した性能を備えています。 したがって、MTJは、読み出しヘッド、各種センサー、または磁気ランダムメモリ（MRAM）としてのいずれにおいても、比類のない利点を有しており、その応用の見通しは非常に有望であるため、世界中の研究グループが非常に重要視しています。
精密抵抗器の紹介
通常の抵抗器と精密抵抗器の違いは、主に抵抗誤差の大きさ、抵抗値の大きさ、温度係数の大きさに基づいています。 1Ω(オーム)以上の抵抗値を、±0の抵抗値の表記に比べ、抵抗器の抵抗値誤差の5%を精密抵抗器と呼ぶことができ、より高い精度を得ることができます{{ 3}}.01% の精度、つまり電子技術者は 10 分の 1 の精度であると言っていました。000、このような抵抗器は一般にフィルム抵抗器であり、生産プロセスの要件を満たすためにこの材料の抵抗器を使用するのが一般的です。 。 この種の抵抗値は 1Ω 以上の一般的なシリーズの抵抗器の精度は ±5% 以上ですが、電子製品で最も一般的な抵抗器の精度は 5% であり、精密抵抗器の範囲には属しません。
以下の抵抗器の 1Ω 抵抗値は、一般に高精度抵抗器の範囲内で ± 1% の精度に達することができます。ベースの抵抗値が非常に小さいため、たとえ 1% の誤差であっても、実際の抵抗誤差は非常に小さいです。 。 ± 0.5% 以内でより高い精度を達成できますが、プロセス要件や技術要件はより高くなります。
材質別の精密抵抗器
金属皮膜精密抵抗器、巻線精密抵抗器、金属箔精密抵抗器があります。 金属皮膜精密抵抗器は精度が高くなりますが、抵抗温度係数と分布パラメータ指標はわずかに低くなります。 巻線高精度抵抗器は、高い抵抗精度と温度係数指標を備えていますが、分布パラメータ指標は低くなります。 金属箔精密抵抗器は、高精度、抵抗温度係数、分布パラメータ指標を備えています。精度は最大 {{0}}、温度係数は最大 ±0.3×{ {3}}/度、分布容量は 0.5pF 未満にすることができます。分布インダクタンスは 0.1μH 未満にすることができます。 上記 3 種類の精密抵抗器は性能に応じて価格が高くなるため、用途に応じて合理的に選択する必要があります。
高精度抵抗器のコアパラメータ
・抵抗値と誤差：
通常、回路の電力損失を減らすために抵抗は低くなり、その抵抗値の精度は測定精度に直接影響します (通常は 0.5% と 1%)。
-温度ドリフト係数:
温度が上昇すると、それに応じて抵抗値も増加します。つまり、正の温度係数になります。このとき、温度ドリフト係数が測定精度誤差に直接重畳されるため、温度係数が低いほど性能が優れます。
-力：
つまり、熱容量の性能は、同じ抵抗状態であっても、電流を流す能力が大きくなり、同時に布板や接続端子のサイズが外部回路と密接に関係します。 、放熱能力が強いほど、対応する熱抵抗は低くなり、スループット容量もそれに応じて向上します。
電圧測定位置も精密抵抗器の精度に影響を与える要因です。精密抵抗器には通常、本体と端子があり、本体に近いほど精度が高くなります。そのため、高い測定精度が必要な用途には、ワイヤ精度を使用できます。4-抵抗器。
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